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BCW33LT1G PDF下载
- 大小：193K
- 厂家：ON Semiconductor
- 描述： Diode; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:32V; DC Current Gain Min (hfe):420; Package/Case:3-SOT-23; Junction Temperature, Tj max:150°C; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
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